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IXDN602SI
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IXDN602SI技术资料
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IXDN602SI
外部开关MOSFET,电桥驱动器
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
原厂封装:
8-SOIC-EP
优势价格,IXDN602SI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXDN602SI的技术资料下载
IXDN602SI的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号:IXDN602SI
制造厂家名称:IXYS Integrated Circuits Division
描述:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
系列:-
配置:低端
输入类型:非反相
延迟时间:35ns
电流 - 峰值:2A
配置数:2
输出数:2
高压侧电压 - 最大值(自举):-
电压 - 电源:4.5 V ~ 35 V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸焊盘
供应商器件封装:8-SOIC-EP
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