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IXFB40N110P
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IXFB40N110P技术资料
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IXFB40N110P
单端场效应管
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
原厂封装:
PLUS264
优势价格,IXFB40N110P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFB40N110P的技术资料下载
IXFB40N110P的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号:IXFB40N110P
制造厂家名称:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
系列:HiPerFET, PolarP2
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1100V(1.1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):40A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):260 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):310nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):19000pF @ 25V
功率 - 最大值:1250W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA
供应商器件封装:PLUS264
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