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IXFH86N30T
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IXFH86N30T技术资料
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IXFH86N30T
单端场效应管
制造厂商：
IXYS
功能简述：
MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
原厂封装：
TO-247AD
优势价格，IXFH86N30T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFH86N30T的技术资料下载
IXFH86N30T的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号：IXFH86N30T
制造厂家名称：IXYS
描述：MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
系列：HiPerFET， TrenchT2
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：300V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：86A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：43 毫欧 @ 43A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：180nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：11300pF @ 25V
功率 - 最大值：830W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247AD （IXFH）
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