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IXFH88N20Q
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IXFH88N20Q技术资料
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IXFH88N20Q
单端场效应管
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 200V 88A TO-247
原厂封装:
TO-247AD
优势价格,IXFH88N20Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFH88N20Q的技术资料下载
IXFH88N20Q的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号:IXFH88N20Q
制造厂家名称:IXYS
描述:MOSFET N-CH 200V 88A TO-247
系列:HiPerFET?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):88A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 44A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):146nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4150pF @ 25V
功率 - 最大值:500W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247AD (IXFH)
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