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IXFN200N10P
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IXFN200N10P价格
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IXFN200N10P技术资料
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IXFN200N10P
场效应管模块
制造厂商：
IXYS
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
原厂封装：
SOT-227B
优势价格，IXFN200N10P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFN200N10P的技术资料下载
IXFN200N10P的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号：IXFN200N10P
制造厂家名称：IXYS
描述：MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
系列：Polar?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：200A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.5 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：235nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7600pF @ 25V
功率 - 最大值：680W
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B
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