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IXFN21N100Q的图片

IXFN21N100Q

场效应管模块

制造厂商：IXYS

功能简述：MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

原厂封装：SOT-227B

优势价格，IXFN21N100Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IXFN21N100Q的功能参数资料 - IXYS公司提供

IXYS公司产品完整型号：IXFN21N100Q

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

系列：HiPerFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：21A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：500 毫欧 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 4mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：170nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5900pF @ 25V

功率 - 最大值：520W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC

供应商器件封装：SOT-227B

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