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IXFN50N50

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场效应管模块
制造厂商:IXYS
功能简述:MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
原厂封装:SOT-227B
优势价格,IXFN50N50的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IXFN50N50的功能参数资料 - IXYS公司提供
  • IXYS公司产品完整型号:IXFN50N50
  • 制造厂家名称:IXYS
  • 描述:MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
  • 系列:HiPerFET?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):50A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):90 毫欧 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):330nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9400pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:625W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商器件封装:SOT-227B
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