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IXFP4N60P3
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IXFP4N60P3技术资料
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IXFP4N60P3
单端场效应管
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
原厂封装:
TO-220AB
优势价格,IXFP4N60P3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFP4N60P3的技术资料下载
IXFP4N60P3的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号:IXFP4N60P3
制造厂家名称:IXYS
描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
系列:HiPerFET, Polar3
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.2 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):365pF @ 25V
功率 - 最大值:114W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
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