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IXFQ12N80P的图片

IXFQ12N80P

单端场效应管

制造厂商：IXYS

功能简述：MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

原厂封装：TO-3P

优势价格，IXFQ12N80P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IXFQ12N80P的功能参数资料 - IXYS公司提供

IXYS公司产品完整型号：IXFQ12N80P

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

系列：HiPerFET， PolarHT

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：800V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：850 毫欧 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：51nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2800pF @ 25V

功率 - 最大值：360W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装：TO-3P

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