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    IXFT12N100

    IXYS图标
    单端场效应管
    制造厂商：IXYS
    功能简述：MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
    原厂封装：TO-268
    优势价格，IXFT12N100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IXFT12N100的技术资料下载
    电话询问价格
    IXFT12N100的功能参数资料 - IXYS公司提供
  • IXYS公司产品完整型号：IXFT12N100
  • 制造厂家名称：IXYS
  • 描述：MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
  • 系列：HiPerFET?
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.05 欧姆 @ 6A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：155nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：300W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA
  • 供应商器件封装：TO-268
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