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IXFT4N100Q
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IXFT4N100Q技术资料
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IXFT4N100Q
单端场效应管
制造厂商：
IXYS
功能简述：
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
原厂封装：
TO-268
优势价格，IXFT4N100Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXFT4N100Q的技术资料下载
IXFT4N100Q的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号：IXFT4N100Q
制造厂家名称：IXYS
描述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
系列：HiPerFET?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1050pF @ 25V
功率 - 最大值：150W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商器件封装：TO-268
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