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IXTA08N120P
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IXTA08N120P技术资料
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IXTA08N120P
单端场效应管
制造厂商：
IXYS
功能简述：
MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263
原厂封装：
TO-263
优势价格，IXTA08N120P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTA08N120P的技术资料下载
IXTA08N120P的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号：IXTA08N120P
制造厂家名称：IXYS
描述：MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263
系列：Polar?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：800mA（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：25 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：333pF @ 25V
功率 - 最大值：50W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263 （IXTA）
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