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    IXTA1N100

    IXYS图标
    单端场效应管
    制造厂商：IXYS
    功能简述：MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
    原厂封装：TO-263
    优势价格，IXTA1N100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    电话询问价格
    IXTA1N100的功能参数资料 - IXYS公司提供
  • IXYS公司产品完整型号：IXTA1N100
  • 制造厂家名称：IXYS
  • 描述：MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.5A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：11 欧姆 @ 1A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 25μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：400pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：54W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：TO-263 （IXTA）
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