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IXTA1N200P3HV
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IXTA1N200P3HV价格
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IXTA1N200P3HV技术资料
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IXTA1N200P3HV
FET - 单
制造厂商：
IXYS
功能简述：
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
原厂封装：
TO-263-3，D2Pak
优势价格，IXTA1N200P3HV的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTA1N200P3HV的技术资料下载
IXTA1N200P3HV的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号: IXTA1N200P3HV
制造厂家名称: IXYS
功能总体简述: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 2000V（2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 40 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 23.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 646pF @ 25V
功率 - 最大值: 125W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装: TO-263（IXTA）
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