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IXTA2N80P
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IXTA2N80P技术资料
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IXTA2N80P
单端场效应管
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
原厂封装:
TO-263
优势价格,IXTA2N80P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTA2N80P的技术资料下载
IXTA2N80P的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号:IXTA2N80P
制造厂家名称:IXYS
描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
系列:PolarHV?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):440pF @ 25V
功率 - 最大值:70W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:TO-263 (IXTA)
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