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IXTA2R4N120P的图片

IXTA2R4N120P

单端场效应管

制造厂商：IXYS

功能简述：MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263

原厂封装：TO-263

优势价格，IXTA2R4N120P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IXTA2R4N120P的功能参数资料 - IXYS公司提供

IXYS公司产品完整型号：IXTA2R4N120P

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263

系列：Polar?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.4A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：37nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1207pF @ 25V

功率 - 最大值：125W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：TO-263 （IXTA）

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