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IXTA60N10T
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IXTA60N10T技术资料
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IXTA60N10T
单端场效应管
制造厂商：
IXYS
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
原厂封装：
TO-263
优势价格，IXTA60N10T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTA60N10T的技术资料下载
IXTA60N10T的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号：IXTA60N10T
制造厂家名称：IXYS
描述：MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
系列：TrenchMV?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：60A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2650pF @ 25V
功率 - 最大值：176W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263 （IXTA）
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