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IXTA80N10T7
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IXTA80N10T7技术资料
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IXTA80N10T7
单端场效应管
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
原厂封装:
TO-263-7
优势价格,IXTA80N10T7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTA80N10T7的技术资料下载
IXTA80N10T7的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号:IXTA80N10T7
制造厂家名称:IXYS
描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
系列:TrenchMV?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):14 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3040pF @ 25V
功率 - 最大值:230W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商器件封装:TO-263-7 (IXTA..7)
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