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IXTC200N10T
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IXTC200N10T技术资料
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IXTC200N10T
单端场效应管
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
原厂封装:
ISOPLUS220
优势价格,IXTC200N10T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTC200N10T的技术资料下载
IXTC200N10T的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号:IXTC200N10T
制造厂家名称:IXYS
描述:MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
系列:TrenchMV?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):101A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.3 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):152nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9400pF @ 25V
功率 - 最大值:160W
安装类型:通孔
封装/外壳:ISOPLUS220
供应商器件封装:ISOPLUS220
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