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IXTH12N90
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IXTH12N90技术资料
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IXTH12N90
单端场效应管
制造厂商：
IXYS
功能简述：
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
原厂封装：
TO-247
优势价格，IXTH12N90的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTH12N90的技术资料下载
IXTH12N90的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号：IXTH12N90
制造厂家名称：IXYS
描述：MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
系列：MegaMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：900V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：900 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4500pF @ 25V
功率 - 最大值：300W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247 （IXTH）
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