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    IXTP08N100D2的图片

    IXTP08N100D2

    IXYS图标
    单端场效应管
    制造厂商：IXYS
    功能简述：MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
    原厂封装：TO-220AB
    优势价格，IXTP08N100D2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IXTP08N100D2的技术资料下载
    电话询问价格
    IXTP08N100D2的功能参数资料 - IXYS公司提供
  • IXYS公司产品完整型号：IXTP08N100D2
  • 制造厂家名称：IXYS
  • 描述：MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：耗尽模式
  • 漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：800mA（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：21 欧姆 @ 400mA，0V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.6nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：325pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：60W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商器件封装：TO-220AB
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