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IXTP12N65X2
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IXTP12N65X2技术资料
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IXTP12N65X2
FET - 单
制造厂商：
IXYS
功能简述：
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
原厂封装：
TO-220-3
优势价格，IXTP12N65X2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTP12N65X2的技术资料下载
IXTP12N65X2的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号: IXTP12N65X2
制造厂家名称: IXYS
功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 12A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 300 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1100pF @ 25V
功率 - 最大值: 180W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
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