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IXTQ18N60P
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IXTQ18N60P技术资料
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IXTQ18N60P
单端场效应管
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
原厂封装:
TO-3P
优势价格,IXTQ18N60P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTQ18N60P的技术资料下载
IXTQ18N60P的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号:IXTQ18N60P
制造厂家名称:IXYS
描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
系列:PolarHV?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):420 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2500pF @ 25V
功率 - 最大值:360W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装:TO-3P
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