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    IXTT10N100D的图片

    IXTT10N100D

    IXYS图标
    单端场效应管
    制造厂商：IXYS
    功能简述：MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
    原厂封装：TO-268
    优势价格，IXTT10N100D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IXTT10N100D的技术资料下载
    电话询问价格
    IXTT10N100D的功能参数资料 - IXYS公司提供
  • IXYS公司产品完整型号：IXTT10N100D
  • 制造厂家名称：IXYS
  • 描述：MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：耗尽模式
  • 漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：130nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2500pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：400W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA
  • 供应商器件封装：TO-268
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