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IXTT10N100D2

单端场效应管

制造厂商：IXYS

功能简述：MOSFET N-CH 1000V 10A T0-267

原厂封装：TO-268

优势价格，IXTT10N100D2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IXTT10N100D2的功能参数资料 - IXYS公司提供

IXYS公司产品完整型号：IXTT10N100D2

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 10A T0-267

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：200nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5320pF @ 25V

功率 - 最大值：695W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA

供应商器件封装：TO-268

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