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IXTT82N25P
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IXTT82N25P技术资料
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IXTT82N25P
单端场效应管
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 250V 82A TO-268
原厂封装:
TO-268
优势价格,IXTT82N25P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTT82N25P的技术资料下载
IXTT82N25P的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号:IXTT82N25P
制造厂家名称:IXYS
描述:MOSFET N-CH 250V 82A TO-268
系列:PolarHT?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):82A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):35 毫欧 @ 41A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):142nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4800pF @ 25V
功率 - 最大值:500W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA
供应商器件封装:TO-268
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