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IXTY08N100D2
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IXTY08N100D2价格
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IXTY08N100D2技术资料
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IXTY08N100D2
单端场效应管
制造厂商：
IXYS
功能简述：
MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
原厂封装：
TO-252
优势价格，IXTY08N100D2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTY08N100D2的技术资料下载
IXTY08N100D2的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号：IXTY08N100D2
制造厂家名称：IXYS
描述：MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：耗尽模式
漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：800mA（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：21 欧姆 @ 400mA，0V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：325pF @ 25V
功率 - 最大值：60W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）
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