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IXTY1N120P
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IXTY1N120P技术资料
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IXTY1N120P
单端场效应管
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252
原厂封装:
TO-252
优势价格,IXTY1N120P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTY1N120P的技术资料下载
IXTY1N120P的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号:IXTY1N120P
制造厂家名称:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)
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