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MII150-12A4
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MII150-12A4技术资料
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MII150-12A4
IGBT模块
制造厂商：
IXYS
功能简述：
MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB
原厂封装：
Y3-DCB
优势价格，MII150-12A4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MII150-12A4的技术资料下载
MII150-12A4的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号：MII150-12A4
制造厂家名称：IXYS
描述：MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB
系列：-
IGBT 类型：NPT
配置：半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：180A
功率 - 最大值：760W
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）：7.5mA
不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：6.6nF @ 25V
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装/外壳：Y3-DCB
供应商器件封装：Y3-DCB
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