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MMIX1F160N30T的图片

MMIX1F160N30T

单端场效应管

制造厂商：IXYS

功能简述：MOSFET N-CH 300V 102A SMPD

原厂封装：SMPD

优势价格，MMIX1F160N30T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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MMIX1F160N30T的功能参数资料 - IXYS公司提供

IXYS公司产品完整型号：MMIX1F160N30T

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 300V 102A SMPD

系列：GigaMOS， HiperFET， TrenchT2

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：300V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：102A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 60A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：335nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2800pF @ 25V

功率 - 最大值：570W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：21-SMD 模块

供应商器件封装：SMPD

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